半導體製程濕式清洗台 | 食品添加物健康站
達思系統為使用端廢氣處理概念提供許多明確的優勢,針對半導體汙染、廢氣的排放,進行廢氣處理,即濕式化學法,廢氣若含有揮發性有機化合物則用廢氣焚化爐處理。
半導體製造領域的單晶圓洗淨半導體產業的許多製程步驟都會排放各種有害廢氣。化學氣相沉積或乾式蝕刻則會運用許多反應性極強的氣體,其通常會在很靠近廢氣來源的地方進行所謂的使用端處理。反觀濕式化學法則是發展已久的製程,其運用中央濕式廢氣處理設備來處理廢氣,如果廢氣中含有許多揮發性有機化合物(VOC),則會採用中央廢氣焚化爐(oxidizer),兩者通常都置於建築物的內部或頂層。然而,隨著單晶圓洗淨逐漸廣泛用於量產環境,接近廢氣來源的濕式廢氣處理設備則能提供許多優點。許多技術與商業層面的因素導致客戶要求更改良的濕式廢氣處理設備方案,除了縮小佔用空間外,並能濾除系統排放廢氣所含的各種製程化學物質。本文即將介紹這樣的概念。
在已使用很長一段時間的濕式清洗台方面,其承載著多片晶圓的托架(carrier)會浸入一連串的液體槽,而濕式清洗台的每個隔間(compartment)永遠會裝入相同種類的液體。每個隔間的通風空氣會導入其中一個排氣系統,通常分類成酸、鹹、揮發性有機化合物、以及一般排氣系統。
反觀在單晶圓濕式洗淨系統方,則只會將一片晶圓置入製程反應室 (chamber)內。濕式洗淨機台含有多個製程反應室,可一次處理多片晶圓,或在不同反應室中執行不同的製程步驟。在洗淨過程中,晶圓先後噴灑多種不同的化學液體,之後再透過旋轉晶圓的方式移除。除了純水之外,常用的成分還包括氨、硫酸、過氧化氫、臭氧水(ozonized water)、氫氟酸、或異丙醇。而在噴灑與旋轉過程中,有些液體會揮發,另外有些液體的飛沫則會被吸入通風管路中。
一些含有氨以及氫氟酸或硫酸的液體由於蒸氣或飛沫相互接觸,會在排氣管路內形成鹽結晶。氨與氫氟酸的反應是可逆的(參閱反應式1); 因此若兩種氣體的濃度壓低在平衡值以下,就能抑制氟化銨鹽的生成,我們可依據熱力學推算出在室溫下的這個平衡值[NH3][HF]< 100 (ppm)²
HF(g) + NH3(g) ↔ NH4F(s)
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